Advanced search
1 file | 2.80 MB

Studie van de elektrische eigenschappen van Si/SiO2 strukturen met een ultradunne oxydelaag

(1995)
Author
Promoter

Downloads

  • (...).pdf
    • full text
    • |
    • UGent only
    • |
    • PDF
    • |
    • 2.80 MB

Citation

Please use this url to cite or link to this publication:

Chicago
Depas, Michel. 1995. “Studie Van De Elektrische Eigenschappen Van Si/SiO2 Strukturen Met Een Ultradunne Oxydelaag ” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor kristallografie en studie van de vaste stof.
APA
Depas, M. (1995). Studie van de elektrische eigenschappen van Si/SiO2 strukturen met een ultradunne oxydelaag . RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor kristallografie en studie van de vaste stof.
Vancouver
1.
Depas M. Studie van de elektrische eigenschappen van Si/SiO2 strukturen met een ultradunne oxydelaag . RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor kristallografie en studie van de vaste stof; 1995.
MLA
Depas, Michel. “Studie Van De Elektrische Eigenschappen Van Si/SiO2 Strukturen Met Een Ultradunne Oxydelaag .” 1995 : n. pag. Print.
@phdthesis{8570532,
  author       = {Depas, Michel},
  language     = {dut},
  pages        = {V, 240},
  publisher    = {RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor kristallografie en studie van de vaste stof},
  school       = {Ghent University},
  title        = {Studie van de elektrische eigenschappen van Si/SiO2 strukturen met een ultradunne oxydelaag },
  year         = {1995},
}