Advanced search
1 file | 4.06 MB Add to list

Metaalorganische gasfaze epitaxiaalgroeitechnieken voor de realisatie van geavanceerde (In)(Al)GaAs/AlGaAs halfgeleiderlasers

(1995)
Author
Promoter
(UGent)

Downloads

  • (...).pdf
    • full text
    • |
    • UGent only
    • |
    • PDF
    • |
    • 4.06 MB

Citation

Please use this url to cite or link to this publication:

MLA
Vermeire, Gerrit. Metaalorganische Gasfaze Epitaxiaalgroeitechnieken Voor de Realisatie van Geavanceerde (In)(Al)GaAs/AlGaAs Halfgeleiderlasers. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Vakgroep Informatietechnologie, 1995.
APA
Vermeire, G. (1995). Metaalorganische gasfaze epitaxiaalgroeitechnieken voor de realisatie van geavanceerde (In)(Al)GaAs/AlGaAs halfgeleiderlasers. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Vakgroep Informatietechnologie.
Chicago author-date
Vermeire, Gerrit. 1995. “Metaalorganische Gasfaze Epitaxiaalgroeitechnieken Voor de Realisatie van Geavanceerde (In)(Al)GaAs/AlGaAs Halfgeleiderlasers.” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Vakgroep Informatietechnologie.
Chicago author-date (all authors)
Vermeire, Gerrit. 1995. “Metaalorganische Gasfaze Epitaxiaalgroeitechnieken Voor de Realisatie van Geavanceerde (In)(Al)GaAs/AlGaAs Halfgeleiderlasers.” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Vakgroep Informatietechnologie.
Vancouver
1.
Vermeire G. Metaalorganische gasfaze epitaxiaalgroeitechnieken voor de realisatie van geavanceerde (In)(Al)GaAs/AlGaAs halfgeleiderlasers. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Vakgroep Informatietechnologie; 1995.
IEEE
[1]
G. Vermeire, “Metaalorganische gasfaze epitaxiaalgroeitechnieken voor de realisatie van geavanceerde (In)(Al)GaAs/AlGaAs halfgeleiderlasers,” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Vakgroep Informatietechnologie, 1995.
@phdthesis{8570222,
  author       = {{Vermeire, Gerrit}},
  language     = {{dut}},
  pages        = {{239}},
  publisher    = {{RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Vakgroep Informatietechnologie}},
  school       = {{Ghent University}},
  title        = {{Metaalorganische gasfaze epitaxiaalgroeitechnieken voor de realisatie van geavanceerde (In)(Al)GaAs/AlGaAs halfgeleiderlasers}},
  year         = {{1995}},
}