Advanced search
1 file | 50.81 MB Add to list

Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie

Ann Ackaert (UGent)
(1990)
Author
Promoter
and (UGent)
Organization

Downloads

  • (...).pdf
    • full text
    • |
    • UGent only
    • |
    • PDF
    • |
    • 50.81 MB

Citation

Please use this url to cite or link to this publication:

MLA
Ackaert, Ann. Hetero-Epitaxiale Groei van GaAs/AlGaAs Opto-Elektronische Komponenten Met Behulp van de Metaal-Organische Gasfaze Epitaxie. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica, 1990.
APA
Ackaert, A. (1990). Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica.
Chicago author-date
Ackaert, Ann. 1990. “Hetero-Epitaxiale Groei van GaAs/AlGaAs Opto-Elektronische Komponenten Met Behulp van de Metaal-Organische Gasfaze Epitaxie.” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica.
Chicago author-date (all authors)
Ackaert, Ann. 1990. “Hetero-Epitaxiale Groei van GaAs/AlGaAs Opto-Elektronische Komponenten Met Behulp van de Metaal-Organische Gasfaze Epitaxie.” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica.
Vancouver
1.
Ackaert A. Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica; 1990.
IEEE
[1]
A. Ackaert, “Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie,” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica, 1990.
@phdthesis{8552674,
  author       = {{Ackaert, Ann}},
  language     = {{dut}},
  pages        = {{IV, 258}},
  publisher    = {{RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica}},
  school       = {{Ghent University}},
  title        = {{Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie}},
  year         = {{1990}},
}