
Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie
(1990)
- Author
- Ann Ackaert (UGent)
- Promoter
- Paul Lagasse and Piet Demeester (UGent)
- Organization
Downloads
-
(...).pdf
- full text
- |
- UGent only
- |
- |
- 50.81 MB
Citation
Please use this url to cite or link to this publication: http://hdl.handle.net/1854/LU-8552674
- MLA
- Ackaert, Ann. Hetero-Epitaxiale Groei van GaAs/AlGaAs Opto-Elektronische Komponenten Met Behulp van de Metaal-Organische Gasfaze Epitaxie. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica, 1990.
- APA
- Ackaert, A. (1990). Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica.
- Chicago author-date
- Ackaert, Ann. 1990. “Hetero-Epitaxiale Groei van GaAs/AlGaAs Opto-Elektronische Komponenten Met Behulp van de Metaal-Organische Gasfaze Epitaxie.” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica.
- Chicago author-date (all authors)
- Ackaert, Ann. 1990. “Hetero-Epitaxiale Groei van GaAs/AlGaAs Opto-Elektronische Komponenten Met Behulp van de Metaal-Organische Gasfaze Epitaxie.” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica.
- Vancouver
- 1.Ackaert A. Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie. RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica; 1990.
- IEEE
- [1]A. Ackaert, “Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie,” RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica, 1990.
@phdthesis{8552674, author = {{Ackaert, Ann}}, language = {{dut}}, pages = {{IV, 258}}, publisher = {{RUG. Faculteit Toegepaste Wetenschappen. Laboratorium voor elektromagnetisme en acustica}}, school = {{Ghent University}}, title = {{Hetero-epitaxiale groei van GaAs/AlGaAs opto-elektronische komponenten met behulp van de metaal-organische gasfaze epitaxie}}, year = {{1990}}, }