Advanced search

Mobilité dans GaN en présence de parois de dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à large bande interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.

Author
Organization

Citation

Please use this url to cite or link to this publication:

Chicago
FARVACQUE, JL, Zahia Bougrioua, and Ingrid Moerman. “Mobilité Dans GaN En Présence De Parois De Dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à Large Bande Interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.”
APA
FARVACQUE, J., Bougrioua, Z., & Moerman, I. (n.d.). Mobilité dans GaN en présence de parois de dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à large bande interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.
Vancouver
1.
FARVACQUE J, Bougrioua Z, Moerman I. Mobilité dans GaN en présence de parois de dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à large bande interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.
MLA
FARVACQUE, JL, Zahia Bougrioua, and Ingrid Moerman. “Mobilité Dans GaN En Présence De Parois De Dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à Large Bande Interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.” n. pag. Print.
@misc{143678,
  author       = {FARVACQUE, JL and Bougrioua, Zahia and Moerman, Ingrid},
  language     = {eng},
  title        = {Mobilit{\'e} dans GaN en pr{\'e}sence de parois de dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs {\`a} large bande interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.},
}