Ghent University Academic Bibliography

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Mobilité dans GaN en présence de parois de dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à large bande interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.

JL FARVACQUE, Zahia Bougrioua and Ingrid Moerman UGent
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author
organization
type
misc
publication status
published
subject
language
English
UGent publication?
yes
classification
U
id
143678
handle
http://hdl.handle.net/1854/LU-143678
date created
2004-01-14 13:38:00
date last changed
2016-12-19 15:42:08
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Chicago
FARVACQUE, JL, Zahia Bougrioua, and Ingrid Moerman. “Mobilité Dans GaN En Présence De Parois De Dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à Large Bande Interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.”
APA
FARVACQUE, J., Bougrioua, Z., & Moerman, I. (n.d.). Mobilité dans GaN en présence de parois de dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à large bande interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.
Vancouver
1.
FARVACQUE J, Bougrioua Z, Moerman I. Mobilité dans GaN en présence de parois de dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à large bande interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.
MLA
FARVACQUE, JL, Zahia Bougrioua, and Ingrid Moerman. “Mobilité Dans GaN En Présence De Parois De Dislocations. GDR-CNRS 1050 - Semiconducteurs à Large Bande Interdite, 21-23 May 2001, Grenoble, France.” n. pag. Print.