@phdthesis{01KA0KVB6HRXE4SFRQ0MQ28FRH,
  abstract     = {{Dit onderzoek richt zich op het ontwikkelen van fysica-gebaseerde modellen voor hoge-elektron-mobiliteitstransistoren (HEMTs) gefabriceerd in galliumnitride (GaN) en met een p-type galliumnitride-poort, een geavanceerde halfgeleidercomponent dat veelbelovend is voor hoogvermogen- en hoogfrequente toepassingen. GaN-technologie biedt unieke eigenschappen zoals hoge efficiëntie, snelle schakelsnelheden en de mogelijkheid om bij hoge spanningen te werken, waardoor het belangrijk is voor bepaalde moderne elektronica, voor toepassingen gaande van eenvoudige adapters tot communicatiesystemen. Het onderzoek presenteert een methode om het gedrag van deze componenten nauwkeurig te voorspellen, rekening houdend met belangrijke fysische fenomenen zoals poortlekkage en substraateffecten. De modellen helpen om te komen tot betere inzichten en verbeterde ontwerpstrategieën, zoals geoptimaliseerde doteerprofielen, om uiteindelijk de prestaties te verbeteren zoals verminderd vermogensverlies tijdens het schakelen van de componenten. 
De ontwikkelde fysica-gebaseerde modellen zijn gevalideerd met experimenten en bieden een betrouwbare, efficiënte basis voor het simuleren van hoogvermogencircuits en systemen die GaN-componenten gebruiken. Deze resultaten leveren zowel praktische hulpmiddelen voor ingenieurs als een theoretische basis voor toekomstige ontwikkelingen in geavanceerde halfgeleidertechnologieën.}},
  author       = {{Alaei, Mojtaba}},
  isbn         = {{9789493464582}},
  language     = {{eng}},
  pages        = {{var. p.}},
  publisher    = {{Ghent University. Faculty of Engineering and Architecture}},
  school       = {{Ghent University}},
  title        = {{Compact modeling of gallium nitride power high-electron-mobility transistors}},
  year         = {{2025}},
}